研發服務平台亮點成果獎─特優獎
使用平台:台灣儀器科技研究中心「次埃解析度(sub-Å)原子結構研究與應用研發服務平台」
電子顯微鏡是利用電子束作為光源的顯微鏡,其解析度較傳統的光學顯微鏡高出1000倍,雖發明至今不到100年,卻為近代科技帶來極大的突破。今日,穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope, TEM)已能看到奈米尺度的材料結構,讓研究者在製作出材料的同時,可以了解材料的特質與缺陷並加以利用,進一步開發出低成本、高性能的新穎材料。
國立臺灣大學材料科學與工程學系特聘教授楊哲人及其團隊,和台灣儀器科技研究中心(簡稱儀科中心)「次埃解析度(sub-Å)原子結構研究與應用研發服務平台」合作,產出優異的研究成果,榮獲2021年國家實驗研究院研發服務平台亮點成果獎特優獎項。
次埃解析度顯微鏡的視野
次埃解析度的「埃」(Å)指的是長度單位,代表10-10公尺,也就是0.1奈米;而「次埃」(sub-Å)則是10-11公尺。楊哲人說明,許多工程運用的金屬材料及先進半導體元件材料,都已經進入到奈米、甚至是原子尺度的研究。假若沒有辦法觀測到研究的成果,就無從證實開發出的新穎材料確實具有更優異的性質,因此能在原子尺度「看見」材料是至關重要的技術。
材料在觀測前,需要切成像皮膚一樣薄的試片,厚度僅約100埃。透過電子顯微鏡拍攝出的2D影像,金屬內結晶的晶界(grain boundary)、晶粒(crystal grain)都一覽無遺;再透過三種不同切面的2D影像,就能還原材料的3D立體結構。
日常生活中常見的合金材料,許多都是多晶的結構,多晶晶粒中的大小、形狀,會決定金屬材料的韌性與強度。影響材料的原因,很大取決於金屬的合金種類與溫度,而這正是楊哲人團隊研究的著眼點與切入點。
原子層級的材料特性
楊哲人指出,我們眼前看到的金屬、鑽石,以及其他各種晶體,內部其實都隱藏著各式各樣的缺陷,理想中的「完美晶體」並不存在。常見的缺陷包含點缺陷、差排(dislocation)、疊差(stacking fault)等。晶體內含許多缺陷,乍聽之下似乎是件不好的事情,但只要能善用材料的缺陷,反而可以帶給人類許多幫助。
在楊哲人團隊與儀科中心合作的「國防航太級鋁合金強化材料之奈米析出物原子結構分析與研究」當中,為了了解AA7050、AA2050兩種鋁合金的奈米等級析出物在顯微結構的特性,以及析出物間的成長機制、析出物和差排間的交互作用理論,他們使用解析度0.78埃的原子解析度修正掃描穿透式電子顯微鏡,對鋁合金進行觀測。
經由觀測結果,研究團隊歸類出原子的排列結構,並觀測到析出物在成長過程中發生的碰撞而產生了結合(coalescence),誘發複雜晶界和雙晶界面(twin boundary)的現象。
團隊使用儀科中心「次埃解析度(sub-Å)原子結構研究與應用研發服務平台」,建立航太級鋁合金之原子級析出物相變態顯微結構演化機制,發表於金屬材料頂級期刊Acta Materialia。
跨國團隊的分工、交流與合作
楊哲人在這項研究中所領導的團隊,包含臺灣大學、陽明交通大學、清華大學、中興大學、中山大學,以及京都工業大學、宜特科技股份有限公司、美商EA Fischione Instruments,不但包含學界與產業界,更跨越了國界。
關於大團隊的橫向與縱向溝通,楊哲人認為,有效分工合作是相當重要的。以團隊成果的另一個亮點—原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)為例,為減低實驗試片表面因電子束照射的損傷,楊哲人的研究夥伴也運用儀科中心的研發服務平台,研製出複合式電漿原子層沉積/蝕刻系統,以改進和修正實驗樣本製備和分析工作。在此合作中,負責ALD的團隊專注於技術的建立,而楊哲人的團隊則利用顯微技術的專業相互配合,共創優秀的成果。
此外,楊哲人也提及,原子層級的材料研究是各國激烈競爭的領域,台灣的研究並非領先全球,但是藉由團隊內各個單位的技術、資訊和儀器操作等經驗交流,對整體的發展和競爭力有很大的幫助。
與儀科中心合作,替航太材料創造更多可能性
儀科中心「次埃解析度原子結構研究與應用研發服務平台」配備「原子解析度像差修正掃描穿透式電子顯微鏡」,以及「原子解析度三維顯微結構」分析技術,讓許多研究得以更上一層樓,而楊哲人在此合作模式下,更產出數篇科學引文索引(SCI)期刊,並獲得許多顯微鏡相關獎項。
楊哲人除了是臺灣大學的特聘教授,同時也是台灣顯微鏡學會的理事長,關於未來,他還有很多的期許和願景。2023年,臺灣大學工學院綜合大樓啟用了雙球面像差校正之300kV場發射鎗掃描穿透式電子顯微鏡,期待在不久的將來,我們可以在國內看到更細緻也更清晰的原子結構,並研製出更堅韌且節能的材料。
楊哲人教授及其團隊,在台灣儀器科技研究中心「次埃解析度(sub-Å)原子結構研究與應用研發服務平台」協助下,產出優異的研究成果。